B2B综合信息网站 对比选取元器件 助力设计研发
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32位微控制器
我们提供了多种IGBT产品系列。这些IGBT广泛应用于汽车、牵引、工业和消费类领域。在正向和阻断状态下，我们的IGBT功率损耗极低，仅需低驱动功率便可发挥高效率。IGBT可承受电压高达6.5 kV，工作频率为2 kHz 至 50 kHz。
借助广泛的技术组合优势，IGBT的设计具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力，可实现超低功耗。
英飞凌的N-通道和P-通道功率 MOSFET 设计独特，为您的产品带来更高的效率，功率密度以及成本效益。
天线相关器件、射频开关、低噪放大器LNA IC、射频模块（多路复用器模块）、天线开关模块 (ASM)、射频晶体管、射频二极管、无线控制、毫米波 (mmW) 回程和前传、高可靠性分立式半导体
基于尖端技术的IGBT功率模块分为多种电压等级、额定电流和拓扑结构，被广泛应用于众多应用场景。英飞凌产品的功率范围很广——从几百瓦到数兆瓦。通用驱动器、伺服单元以及太阳能逆变器或风能设备等可再生能源应用，均受益于这些高可靠产品的杰出性能、高效性和超长寿命。
FlexRay、CAN、LIN
静电保护（ESD）对于保障严酷瞬变环境下系统的稳健性至关重要。英飞凌提供多种TVS（瞬变电压抑制）二极管，以从系统层面保护电子设备。
EiceDRIVER™ 栅极驱动器，用于驱动MOSFETs，IGBTs，碳化硅MOSFET， 以及氮化镓HEMT
为汽车、消费和工业应用中的电机控制系统打造的解决方案
32位工业微控制器、32位微控制器、ARM微控制器
AC-DC PWM-PFC控制器
AC-DC PWM-PFC控制器
天线相关器件、射频开关、低噪放大器LNA IC、射频模块（多路复用器模块）、天线开关模块 (ASM)、射频晶体管、射频二极管、无线控制、毫米波 (mmW) 回程和前传、高可靠性分立式半导体
交流发电机调节器、系统基础芯片 (SBC)、发动机管理芯片、用于变速箱的恒流控制芯片
CIPURSE™ 产品、OPTIGA™ 嵌入式安全解决方案、SECORA™ security solutions、智能卡解决方案、感应型内存、安全控制器、用于USB身份锁的安全控制器、智能卡模块
英飞凌抗辐射功率MOS管基于我们独家的CoolMOS™技术，是世界范围内250V半导体器件抗辐射能力和电气性能的衡量基准。该器件可承受高于100krad 的电离总剂量（TID）（若有特殊要求可达300krad），采用氙离子时可抗击LET55的单粒子效应，采用铝离子则可达LET84水平。
英飞凌抗辐射功率MOS管导通电阻R DS(on)极低，考虑单粒子效应（SEE）的情况下安全工作区仍旧宽裕，是业界最优的抗辐射功率MOS管，适用于多种航空及航天应用。
若有要求，抗辐射功率MOS管也可以裸片形式供应。
专业级（P），用于面包板和电路评估（工程模型）、ESCC（欧洲空间元件协调组织）认证级（ES），可满足欧洲空间局的要求（飞行器模型）、若客户对质量等级有特殊要求，可进行按需定制
专业级（P），用于面包板和电路评估（工程模型）、ESCC（欧洲空间元件协调组织）认证级（ES），可满足欧洲空间局的要求（飞行器模型）、若客户对质量等级有特殊要求，可进行按需定制
供采用端接设计的桥式整流模块，如EasyBRIDGE或eupec™ EconoBRIDGE™。可供选择的配置中包含配有IGBT和可选NTC电阻的全控和半控整流器。该产品系列覆盖了25 A至180 A电流区间，提供800 V和1600 V电压等级。 eupec™ IsoPACK™系列具有可调节负载端，包含全控、半控和不可控整流模块。三相交流开关使eupec™ IsoPACK™的产品区间更加完整。电流区间为85 A至205 A，电压等级为1600 V。
Thyristor / Diode Discs、Thyristor / Diode Modules、Thyristor Soft Starter Modules、Bridge Rectifier & AC-Switches、CoolSiC™ 肖特基二极管、功率组件、Silicon Diodes、Diode Bare Dies
工业CAN收发器产品组合符合ISO11898标准，满足了传输速率高达 2 Mbit/s的需求，仅接收模式或总线唤醒等要求。
MERUS™ D 类音频放大器，多芯片模块以及分立式 MOSFET/HEMT 驱动器 IC、更低温、更小且更轻的 D 类放大器，成就出色的音响音频产品
Radar sensors for automotive、Radar sensors for IoT
碳化硅 MOSFET 单管、碳化硅 MOSFET 模块
碳化硅（SiC）二极管和晶体管是现代电力电子解决方案和创新电力电子解决方案的关键组件，旨在实现超高功率密度和效率。
采用CoolSiC™ MOSFET的功率模块为逆变器设计人员实现前所未有的效率和功率密度水平带来了新机遇。此外， 碳化硅（SiC）系列还通过不同的拓扑设计来满足各种应用需求。（45 mOhm -2 mOhm RDS(on)）
我们的1200V SiC MOSFET模块具有多种不同的配置，如三电平、双单元、四单元、六单元或Boost升压配置，通过先进的沟槽设计、同类最佳的开关性能和传导损耗和出色的栅极氧化层可靠性。
用户不仅可以为所有EasyPACK™、EasyDUAL™和62mm CoolSiC™功率模块订购预涂热界面材料（TIM）版本，而且还可以选购其它性能版本，比如采用高性能氮化铝（AIN）陶瓷衬底的Easy模块，它可显著提高RthJH热性能。
20V-250V P沟道和 20V-600V N沟道车规和非车规 MOSFET
CoolGaN™ —— 新的电源标杆。
氮化镓 (GaN) 相比于硅材料具备决定性的优势。尤其是相较于硅 MOSFET，氮化镓材料具备更高的临界电场、独有的出色导通电阻、更低的电容，使其尤为适用于功率半导体器件，让 GaN HEMT 成为高速开关的理想之选。由此带来的不仅是节能和系统总成本的降低，还有更高的工作频率，从而提高了功率密度和整体系统效率。氮化镓晶体管最重要的特性是其反向恢复性能。由于英飞凌 CoolGaN™ 晶体管无少数载流子和体二极管结构，因此不会出现反向恢复现象，尤为适于半桥拓扑。
ISOFACE(TM) Output Switches、ISOFACE™ Digital Input ICs
凭借着在技术层面的优势、多种IP选择、全球范围的合作伙伴及系统化专业知识，英飞凌ASIC助力客户拓宽领域，以开发出创新产品及解决方案并从中获益。我们在全球范围内具备项目管理架构的设计中心和合作伙伴网络为客户提供基于ASIC的专业设计及本地支持。英飞凌以客户需求作为中心，为其提适宜的解决方案，帮助客户的产品在短时间内进入市场。
ToF 3D Image Sensors for Consumer、ToF 3D Image Sensors for Automotive
Digital Motor Controller (iMOTION™)、Brushed DC Motor Driver ICs、32-bit Embedded Power ICs based on Arm® Cortex® M、
Servo and Stepper Motor Driver、BLDC Motor Driver ICs