B2B综合信息网站 对比选取元器件 助力设计研发
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高频FET是场效应晶体管(FET:Field Effect Transistors)中可用于高频应用的MOSFET和JFET,它们通过电场(电压)来控制电流。 它们只能在相对较低的频率带宽内使用。 其中,MOSFET由于其优越的噪声和失真特性,被用于几十兆赫到1GHz的带宽。 在更高的带宽下,砷化镓器件开始发挥其作用。
英飞凌抗辐射功率MOS管基于我们独家的CoolMOS™技术,是世界范围内250V半导体器件抗辐射能力和电气性能的衡量基准。该器件可承受高于100krad 的电离总剂量(TID)(若有特殊要求可达300krad),采用氙离子时可抗击LET55的单粒子效应,采用铝离子则可达LET84水平。
英飞凌抗辐射功率MOS管导通电阻R DS(on)极低,考虑单粒子效应(SEE)的情况下安全工作区仍旧宽裕,是业界最优的抗辐射功率MOS管,适用于多种航空及航天应用。
若有要求,抗辐射功率MOS管也可以裸片形式供应。
东芝的RF-MOSFET,输出功率在0.1W到12W之间,电源电压在3.6V到12.5V之间,适用于射频功率放大器。
N MOSFET、P MOSFET、N+P MOSFET、MOS+SCHOTTKY
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