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栅极驱动芯片是驱动MOSFET、IGBT和SiC器件等开关元件的半导体集成电路。当用MOSFET开关大电流时，仅仅通过输入逻辑信号是不可能实现低损耗和高速运行的，需要一个具有多个元件的栅极驱动电路。 有必要用多个元件来组装栅极驱动电路。 此外，高压开关还需要隔离。 一个半导体集成电路集成了驱动这种门的所有必要电路。
This driver IC is a high-side/low-side gate driver with a withstand voltage of 600V, and uses bootstrapping to operate Nch MOSFETs and IGBTs.
此系列产品可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能等应用。
MOSFET、SiC-MOSFET、IGBT
EiceDRIVER™ 栅极驱动器，用于驱动MOSFETs，IGBTs，碳化硅MOSFET， 以及氮化镓HEMT
Gate Driver（闸门驱动器）产品是可快速、稳定地操作 MOSFET、IGBT SWITCHING动作的IC。 IC内部具备防止过电流电路、可以将开关损耗最小化的抗斜路电路等多种内部保护功能，可以达到快速的Propagation time。此外，还内置有可稳定启动 HIGH SIDE SWITCH Gate（高压侧开关门）的 Booststrap Diode（升压二极管），可实现PCB设计空间的效率最大化。
东芝MOSFET栅极驱动IC是一种非常小的Nch FET驱动IC，内置升压电路和保护电路。利用MOSFET，可以设计出小型、低损耗的理想电源电路。
MOSFET驱动器
MOSFET驱动器
光电耦合器/光电耦合器 电机驱动
CMT SERIES (-55°C TO 125°C/175°C), CHT SERIES (-55°C TO 225°C)
IGBT驱动器是专为IGBT驱动设计，能将控制系统输出的脉冲信号进行隔离放大，输出电流峰值（如：8A）较大的驱动信号。——可实现IGBT驱动、故障保护、隔离防护等功能。
栅极驱动器、半桥驱动器 / H桥驱动器、带升压转换器的全桥驱动器、车载用开关驱动器
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