B2B综合信息网站 对比选取元器件 助力设计研发
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SiC MOSFET模块是由单个或多个碳化硅（SiC）MOSFET和一些外围元件组成的综合元件。SiC的介电击穿场强比硅（Si）高约10倍，因此耐受电压高，耗尽层窄，因此导通电阻低。 SiC MOSFET的模块化提供了更高的输出容量，使这些器件适用于高电压、大电流的应用。
采用CoolSiC™ MOSFET的功率模块为逆变器设计人员实现前所未有的效率和功率密度水平带来了新机遇。此外， 碳化硅（SiC）系列还通过不同的拓扑设计来满足各种应用需求。（45 mOhm -2 mOhm RDS(on)）
我们的1200V SiC MOSFET模块具有多种不同的配置，如三电平、双单元、四单元、六单元或Boost升压配置，通过先进的沟槽设计、同类最佳的开关性能和传导损耗和出色的栅极氧化层可靠性。
用户不仅可以为所有EasyPACK™、EasyDUAL™和62mm CoolSiC™功率模块订购预涂热界面材料（TIM）版本，而且还可以选购其它性能版本，比如采用高性能氮化铝（AIN）陶瓷衬底的Easy模块，它可显著提高RthJH热性能。
(-55°C/-40°C TO 175°C)
SiC功率模块具备高工作温度与高工作频率，低开关与导通损耗等优点，相比于Si 功率模块能够实现更高的系统总体效率，在DC/DC变换器，UPS系统及新能源汽车均有广泛的应用前景。碳化硅（SiC）功率模块可以进行定制开发以满足复杂多元的应用需求。
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