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小信号MOSFET是一种场效应晶体管（FET：Field Effect Transistor），其中电流由电场（电压）控制，栅极由硅的氧化物绝缘膜浮动 MOSFET是金属氧化物半导体FET的缩写。 MOSFET是金属氧化物半导体FET的缩写，有时也被称为MOS-FET。 与双极晶体管相比，MOSFET更容易受到泄漏电流和静电的影响，需要小心处理。 小信号MOSFET用于小功率信号电路中。
为了满足以快速充电等为代表的未来技术需求，我们开发了一种具有出色的低导通电阻特性的专用微细工艺，并将其应用于SSM6N951L中。通过行业领先的低导通电阻特性实现低电力损失，同时通过低栅极漏电流（低栅极-源极间漏电流）特性兼顾低待机电力化，为电池的长时间工作做出贡献。此外，通过采用超小型且薄型的Chip scale package，可以在电池包所需的薄型且有限贴装空间内使用。
东芝提供采用各种电路配置和封装的低VDSS和中／高VDSS MOSFET丰富组合，其特点是高速度、高性能、低损耗、低导通电阻、小封装等。
东芝在MOSFET的开发和制造方面拥有数十年的经验。其主要产品包括中高压DTMOS系列（VDSS为500V~800V）和低电压U-MOS系列（VDSS为12V~250V）。
20V-250V P沟道和 20V-600V N沟道车规和非车规 MOSFET
Super junction MOSFETs、Planar high-voltage MOSFETs、Medium-voltage MOSFETs、Low-voltage MOSFETs
通过大量投资于研发，我们持续不断地利用先进的小信号和功率MOSFET解决方案扩充我们的产品组合。我们种类齐全的产品组合提供当今市场所需的灵活性，让您可以轻松选择最适合您系统的产品。我们市场领先的技术确保提供最高的可靠性和性能，而先进的封装则可以增强电阻和热性能，同时缩小尺寸，降低成本。
100V-12V PMOS、12V-300V NMOS
12-150V P-Channel Trench MOSFET
导产品为晶闸管（单、双向可控硅）、MOSFET (SGT、沟槽、平面、超结等工艺）、低结电容放电管等各类保护器件、高压整流二极管、功率型开关晶体管。
Planar MOSFET、Super trench MOSFET、Super Junction MOSFET
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