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什么是功率MOSFET？

功率MOSFET是能够控制相对较大功率的MOSFET；MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。 与双极型晶体管相比，功率MOSFET具有快速开关和在200V以下的低压区域低导通电阻的优点。 它们经常被用于AC-DC转换器、DC-DC转换器、电机驱动器和开关电路。

为电源高效率化做出贡献的150V耐压N沟道功率MOSFET “TPH9R00CQ5” 东芝电子元件 (Toshiba Devices & Storage (Shanghai))
为电源高效率化做出贡献的150V耐压N沟道功率MOSFET “TPH9R00CQ5”

TPH9R00CQ5是一款150V耐压的N沟道功率MOSFET，它成功将漏极-源极间的导通电阻降低到9.0mΩ（最大值），将反向恢复电荷量降低至34nC（典型值），并将反向恢复时间提高至40ns（典型值）。
在开关操作时，它还能够降低漏极-源极之间的尖峰电压，有助于减少开关电源的EMI。

采用了高散热新型封装的车载用40V耐压N沟道功率MOSFET 东芝电子元件 (Toshiba Devices & Storage (Shanghai))
采用了高散热新型封装的车载用40V耐压N沟道功率MOSFET

采用了高散热新封装 L-TOGLTM ，并且实现了高漏极电流额定的车载用N沟道功率MOSFET两个器件成功实现产品化。高漏极电流（DC）额定为：“XPQR3004PB”为400A，“XPQ1R004PB”为200A。通过新型封装技术在需要大电流的变频器和半导体继电器等应用领域，通过简化散热设计和减少MOSFET数量，有助于实现设备的小型化。

车载用100V耐压小型封装N沟道功率MOSFET “XPH4R10ANB” 东芝电子元件 (Toshiba Devices & Storage (Shanghai))
车载用100V耐压小型封装N沟道功率MOSFET “XPH4R10ANB”

漏极电流额定：70A
导通电阻：4.1mΩ（最大值）@VGS＝10V
“XPH6R30ANB”　漏极电流额定：45A
导通电阻：6.3mΩ（最大值）@VGS＝10V
■用途：电源装置、LED前大灯等
■符合AEC-Q101
■采用可润湿侧翼结构的SOP Advance（WF）封装

采用最新一代工艺，80V耐压N沟道功率MOSFET 东芝电子元件 (Toshiba Devices & Storage (Shanghai))
采用最新一代工艺，80V耐压N沟道功率MOSFET

TPH2R408QM、TPN19008QM是采用了面向数据中心及通信基站等产业设备，适用于开关电源的最新一代工艺的表面贴装型封装的80V耐压N沟道功率MOSFET。
与传统一代工艺的80V耐压产品相比，其成功将漏极-源极间的导通电阻降低了约40%。此外，通过优化元件结构，改善了漏极-源极间的导通电阻和栅极电荷量特性之间的权衡关系。这将有助于实现开关电源的高效率化。

帮助实现电源高效率的新一代N沟道功率MOSFET “DTMOSVI系列” 东芝电子元件 (Toshiba Devices & Storage (Shanghai))
帮助实现电源高效率的新一代N沟道功率MOSFET “DTMOSVI系列”

为了满足数据中心和太阳能逆变器等产业设备的开关电源需求，我们对650V耐压的新一代超结结构N沟道功率MOSFET DTMOSVI系列扩充了TK110N65Z等7个种类的产品系列。DTMOSVI系列相较于传统一代产品，成功将性能参数中的漏极-源极间导通电阻与栅极-漏极间电荷量降低了约40%，从而提高了约0.36%的开关电源效率。

车载用小型表面贴装40V／60V耐压N沟道功率MOSFET “XPN3R804NC” 东芝电子元件 (Toshiba Devices & Storage (Shanghai))
车载用小型表面贴装40V／60V耐压N沟道功率MOSFET “XPN3R804NC”

XPN3R804NC等3类产品采用了可润湿侧翼结构的TSON Advance(WF)封装，基板贴装状态的自动外观检查更为方便。此外，由于是采用了本公司“U-MOS VIII-H”工艺的低导通电阻产品，因此有助于设备的省电。通过性能的改善，同时通过取代传统产品中更大尺寸的5mm×6mm产品可实现ECU的小型化。此外，这些产品符合了AEC-Q101。

650V耐压超结结构N沟道功率MOSFET 东芝电子元件 (Toshiba Devices & Storage (Shanghai))
650V耐压超结结构N沟道功率MOSFET

“TK040Z65Z”、“TK065N65Z”、“TK065Z65Z”、“TK090N65Z”、“TK090Z65Z”、“TK090A65Z”
用于数据中心、太阳能发电逆变器等开关电源的650V耐压超结结构N沟道功率MOSFET DTMOSVI。

  • 英飞凌(Infineon)

  • 功率mosfet

    英飞凌的N-通道和P-通道功率 MOSFET 设计独特，为您的产品带来更高的效率，功率密度以及成本效益。

  • 安世半导体(Nexperia)

  • 功率MOSFET

    通过大量投资于研发，我们持续不断地利用先进的小信号和功率MOSFET解决方案扩充我们的产品组合。我们种类齐全的产品组合提供当今市场所需的灵活性，让您可以轻松选择最适合您系统的产品。我们市场领先的技术确保提供最高的可靠性和性能，而先进的封装则可以增强电阻和热性能，同时缩小尺寸，降低成本。

  • MOSFET

    汽车MOSFET、小信号MOSFET、功率MOSFET、应用专用MOSFET

  • 东微半导体(Oriental Semiconductor)

  • MOSFET

    适应电源系统高效率小型化的需求，东微半导体推出了新型的GreenMOS系列高压MOSFET, 采用独特专利器件结构和制造工艺，GreenMOS产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在获得极低的动态损耗的同时大限度抑制了开关震荡，不仅可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系统EMI设计。GreenMOS系列产品涵盖500V-900V全系列，提供高达100A静态电流的规格，高工作频率达到2MHz以上，可以满足各种电源系统的需求。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩等系统。

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