产品信息 SiC肖特基势垒二极管　15家厂商的产品信息単

什么是SiC肖特基势垒二极管？

SiC肖特基势垒二极管是由碳化硅（SiC，碳化硅）制成的肖特基势垒二极管（SBDs）。 与硅（Si）相比，碳化硅（SiC）是一种具有高击穿场强、高带隙和良好导热性的半导体材料。 因此，SiC肖特基势垒二极管因其高速、高击穿电压、降低损耗和小型化而被用于高压电力应用。

  • Littelfuse

  • SiC肖特基二极管

    相比标准的硅双极二极管，SiC肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流，这可减少开关损耗并显著提升系统效率。

  • 东芝电子元件 (Toshiba Devices & Storage (Shanghai))

  • SiC肖特基势垒二极管

    SiC肖特基势垒二极管（SBD）具有高反向电压额定值。除了提供具有较短反向恢复时间（trr）的SBD外，东芝还提供650V SBD，它具有结型肖特基势垒（JBS）结构，可提供开关电源所需的低泄漏电流（Ir）和高浪涌电流能力。这些器件有助于提高开关电源的效率。

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