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SiC SBD（碳化硅肖特基二极管），相比于现在主流产品中的快速恢复二极管，能够明显地减少反向恢复损耗，而且具有高温运行特性，有利于电源的高效率化，通过高频驱动实现无源器件的小型化，同时可以降噪音。
同时实现Si元器件做不到的高速开关和低导通电阻，即使在高温条件下，也具有优异的电气特性，极小的反向恢复损耗。能够显著减少电力电子变换器的重量、体积、成本，提高电力电子系统的效率和功率密度。
GaN 功率开关覆盖650V和100V，主要用于超高频开关电源，如手机快充、无线充电等。
SiC功率模块具备高工作温度与高工作频率，低开关与导通损耗等优点，相比于Si 功率模块能够实现更高的系统总体效率，在DC/DC变换器，UPS系统及新能源汽车均有广泛的应用前景。碳化硅（SiC）功率模块可以进行定制开发以满足复杂多元的应用需求。