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HEMT（异质结场效应晶体管）是一种场效应晶体管，其中载流子是在化合物半导体的异质结表面形成的高纯度层的高流动性电子。 也叫高电子迁移率晶体管；HEMT是高电子迁移率晶体管的缩写。 这种晶体管是由富士通工程师发明的。 它具有高开关速度、低噪音和高频率下的高增益，使其适用于高频放大和高速运行。 它被用于汽车雷达和无线电设备中。
GaN Amplifier、Silicon Bipolar、MOSFET
GaN 功率开关覆盖650V和100V，主要用于超高频开关电源，如手机快充、无线充电等。
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