B2B综合信息网站 对比选取元器件 助力设计研发
关于indexPro的隐私政策
本网站遵守有关个人信息保护的相关法律法规和其他规范，并致力于用户的个人信息保护。
我们可能会在您使用本网站时获取IP地址或Session ID，这些信息将被匿名化后作为统计数据使用。
点击此处查看更多信息。
B2B综合信息网站 对比选取元器件 助力设计研发
关于indexPro的隐私政策
本网站遵守有关个人信息保护的相关法律法规和其他规范，并致力于用户的个人信息保护。
我们可能会在您使用本网站时获取IP地址或Session ID，这些信息将被匿名化后作为统计数据使用。
点击此处查看更多信息。
12-300V N MOSFET、500-1050V N MOSFET、12-300V NP MOSFET
12-150V P-Channel Trench MOSFET
600-650V IGBT、1200-1350V IGBT
以先进的IGBT芯片技术为基础，结合高可靠性的封装技术，新洁能推出全新的IGBT 功率集成模块（PIM）系列产品。该系列产品包括650V、750V、1200V和1700V系列产品，并搭载了不同系列的IGBT芯片，以保证产品工作效率最优；同时，可以提供各种通用的封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品，满足不同的应用要求。新洁能的PIM可以广泛用于工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域。