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1.超低功耗,深度睡眠电流典型值低至 60nA;
2.BP位保护、OTP保护、独立block区域保护确保代码安全;
3.高可靠性,确保10万次擦写,数据保存时间长达20年;
4.支持 1.65~2.1V, 2.7~3.6V, 1.65~3.6V 宽电压,容量1Mb~1Gbit;
5.DFN 1.2x1.2x0.40mm,2x3x0.40mm,4x3x0.55mm 等小尺寸封装;
6.提供 KGD 产品与服务支持SiP合封需求。
1. 2.7V~3.6V 和1.7V~1.95V 工作电压,容量 1Gbit ~ 4Gbit;
2. 相比串口NOR闪存更快的写入性能;
3. 四线数据吞吐量达到 480Mbit/s;
4. 错误校验解决不同的NAND的兼容;
5. 提供WSON8 8x6mm , BGA24封装选择;
6. 高可靠性,数据保持时间 10 年;
7. 支持-40°C ~ 85°C工业温度条件。
8位微控制器