产品信息 闪存　26家厂商的产品信息単

器件和并行闪存

嵌入式多媒体卡、通用闪存

NAND闪存、UFS、eMMC

Serial Flash、ISA Flash、FWH/LPC Flash、eMMC、快闪存储器

NOR flash

Parallel flash

NAND flash

快閃記憶體

Parallel NOR, SPI NOR, SLC NAND, SPI NAND、快闪存储器

SPI闪存器

并行NOR FLASH

SATA, PATA, USB,Industrial flash solution

SPI NAND闪存、为网通、安防、IOT、消费电子等应用的提供大容量代码数据存储解决方案

SPI NOR闪存、SPI NOR Flash可提供多达16种容量选择，覆盖512Kb到2Gb，可满足多种实时操作系统所需的不同存储空间

NAND闪存

eMCP, eMMC, eSD, cNAND

闪存器

嵌入式多媒体卡、Embedded Multi Media Card

铠侠的可扩展BiCS FLASH™ 3D闪存技术将存储器容量再创新高

SLC（单层存储单元）NAND闪存仍然是整个闪存市场不可分割的组成部分。 它的高耐久性使其非常适合用于各种对于可靠性和寿命要求非常高的消费类和工业应用。

工业用eMMC

SPI NOR闪存

产品现拥有38nm及2xnm的成熟工艺制程，目前工艺制程已经推进至1xnm先进工艺制程。

采用WSON8封装，节约PCB空间

50大项80子项的全面测试，实际DPPM小于100

工规级/工业宽温级/车规级 eMMC

SPI NOR闪存

NAND：2D MLC/3D TLC、LPDDR4、LPDDR3、eMMC 5.1、嵌入式CHIP

SPI NOR闪存

第二代TLC 3D NAND闪存、第三代TLC 3D NAND闪存、
第三代QLC 3D NAND闪存

1. 2.7V~3.6V 和1.7V~1.95V 工作电压，容量 1Gbit ~ 4Gbit；
2. 相比串口NOR闪存更快的写入性能；
3. 四线数据吞吐量达到 480Mbit/s；
4. 错误校验解决不同的NAND的兼容；
5. 提供WSON8 8x6mm , BGA24封装选择；
6. 高可靠性，数据保持时间 10 年；
7. 支持-40°C ~ 85°C工业温度条件。

1．超低功耗，深度睡眠电流典型值低至 60nA；
2．BP位保护、OTP保护、独立block区域保护确保代码安全；
3．高可靠性，确保10万次擦写，数据保存时间长达20年；
4．支持 1.65~2.1V, 2.7~3.6V, 1.65~3.6V 宽电压，容量1Mb~1Gbit；
5．DFN 1.2x1.2x0.40mm，2x3x0.40mm，4x3x0.55mm 等小尺寸封装；
6．提供 KGD 产品与服务支持SiP合封需求。