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FeRAM (铁电RAM) 是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。 与传统的非易失性存储器 (如EEPROM，闪存) 相比，FeRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。富士通FeRAM器件从开始交付给工业市场已超过21年。 因此，富士通FeRAM是具有成熟量产制造经验的高性能和高度可靠的存储器。
ReRAM代表电阻式随机存取存储器，是一种非易失性存储器，具有低功耗和快速写入的特长。该存储器在所有存储器产品中的读取电流都非常小，特别适合于助听器等可穿戴设备。