产品信息 非易失性随机访问存储器 (NV RAM)　5家厂商的产品信息単

什么是非易失性随机访问存储器 (NV RAM)？

NV RAM（非易失性RAM，非易失性随机存取存储器）是一个通用术语，指的是在没有电源的情况下保留内存并可重写的存储器。 该类别将非易失性RAM列为一种元素。 类型包括磁阻式RAM（MRAM）、电阻变化存储器（ReRAM）和铁电存储器（FeRAM，FRAM）。 那些带有SRAM和备用电源的也被称为nvSRAM。

  • Fujitsu Semiconductor Memory Solution

  • ReRAM(电阻式随机存取存储器)

    ReRAM代表电阻式随机存取存储器，是一种非易失性存储器，具有低功耗和快速写入的特长。该存储器在所有存储器产品中的读取电流都非常小，特别适合于助听器等可穿戴设备。

  • FeRAM (单元)

    FeRAM (铁电RAM) 是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。 与传统的非易失性存储器 (如EEPROM，闪存) 相比，FeRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。富士通FeRAM器件从开始交付给工业市场已超过21年。 因此，富士通FeRAM是具有成熟量产制造经验的高性能和高度可靠的存储器。

  • Everspin Technologies

  • MRAM

    存储器、MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。

  • 博维逻辑半导体(MCLogic)

  • NVSRAM

    SPI NVSRAM
    • 提供32Kb - 1Mb容量
    • 读写速度高达133Mhz，支持快速读写
    • 提供SOP-8/DFN-8/SOP-16封装
    • 支持2.7V-3.6V电压

    QSPI NVSRAM
    • 提供256Kb - 1Mb容量
    • 提供SOIC/BGA/SOP-16封装
    • 支持2.7V-3.6V电压, 可支持IO 1.8V电压

    Async NVSRAM
    • 提供256Kb - 4Mb容量
    • 读写速度可达10nS
    • 电压2.7V-3.6V，可支持IO 1.8V电压
    • 提供TSOP II/BGA封装

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