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动态随机存取存储器 (DRAM)是指在计算机等中使用的可重复读写、需要存储保持动作(刷新)的半导体存储元件。动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory)的简称。通过存储在芯片内形成的小电容器中的电荷来保持存储内容,但如果放置不管,则电荷放电,因此需要刷新。与SRAM相比耗电量大,读写慢,但容量大,价格便宜。
双倍数据率同步动态随机存储器、高带宽存储器、显存、低功耗双倍数据率同步动态随机存储器、模组
动态随机存取存储器、DDR、LPDDR、HBM、GDDR
DDR3 同步动态随机存取存储器
移动式DRAM、Low-voltage supplies: 1.8V, 1.2V、Clock Frequency Range : 10MHz to 533MHz
同步DRAM、高速CMOS同步DRAM(SDRAM)
6GB/8GB/12GB 容量低功率 DDR5 移动 DRAM 芯片为智能手机引入 5G 和 AI 应用铺平道路。
PSRAM(虚拟静态随机存取记忆体)是由一个DRAM主体核心与传统SRAM介面所组成。晶片上的刷新电路,可省略使用者需要记忆体刷新的考量。相对于传统的CMOS SRAM,PSRAM具有更高容量,高速度,更小的晶片尺寸,以及与DRAM相容的优势。
8M Density、16M Density、32M Density、64M Density、动态随机存取存储器
南亚科技,提供符合JEDEC规范的高品质DRAM颗粒产品, 服务多样的终端产品需求.
一次找齐不同世代(DDR1/2/3/4)及各种容量(512Mb/1/2/4/8Gb)的最佳供应商
低功耗DRAM
Async PSRAM, Burst A/D Mux PSRAM
DDR3, DDR2, DDR1, SDRAM, Mobile DDR、智能存储器的DRAM
LPDDR4X 内存芯片为第四代超低功耗双倍速率同步动态随机存储器, 采用了LVSTL 的低功耗接口及多项降低功耗的设计。在高速传输上, LPDDR4X 内存芯片相较于第三代有着更优越出色的低耗表现, 服务于性能更高、功耗更低的移动设备。
DDR4 内存芯片是第四代双倍速率同步动态随机存储器。相较于上一代DDR3 内存芯片, DDR4 内存芯片拥有更快的数据传输速率、更稳定的性能和更低的能耗。长鑫存储技术有限公司自主研发的DDR4 内存芯片满足市场主流需求,可应用于PC、笔记本电脑、服务器、消费电子类产品等领域。
可提供1.5V/1.35V两种电压模式,具有标准SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架构和8个内部bank的DDR3 SDRAM,是主流的内存产品。
金手指镀金按照业界主流标准工艺
稳定性高,符合商用级产品的标准,可满足行业用户不同层次的需求具备超低失效率,产品质量可靠
完整的核心物料保持周期,同步最新技术的导入与认证,提供最长一年的Last-Buy机制
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40多项生产测试,满足各种数据缓存需求
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